Die geladenen Teilchen k?nnen nachteilige Auswirkungen auf Raumfahrzeuge und elektronische Komponenten haben. Die Strahlungseffekte hochenergetischer Teilchen f?hren zur Aufladung der Oberfl?che von Raumfahrzeugen, zur Beeintr?chtigung oder zum dauerhaften Versagen elektronischer Komponenten und Subsysteme durch Einzeleffekte, Verlagerungssch?den und Auswirkungen ionisierender Dosen im Raumfahrzeug. Die Auswirkungen von ioneninduzierten Ladungstransienten k?nnen in drei grundlegende Kategorien unterteilt werden: Gesamtionisierungsdosis (TID), linearer Energietransfer (LET) und Einzelereignisst?rung (SEU).TID-Effekt ist die Akkumulation von ionisierender Energie, die ?ber einen langen Zeitraum auf Halbleitermaterialien einwirkt. TID tritt vor allem durch Elektronen und Protonen auf, was zum Ausfall des Ger?ts f?hren kann. Der gesamte Energieverlust oder -transfer in das Material pro Einheitsdistanz wird als LET bezeichnet. Elektronische Ger?te k?nnen durch den Durchgang von energiereichen Elektronen, Protonen oder schwereren Ionen gest?rt werden, die den Zustand eines Schaltkreises ver?ndern und "Einzeleffekte" erzeugen k?nnen. SEU und Multiple-Bit-Upset (MBU), die den logischen Zustand interner Knoten des Schaltkreises ver?ndern. Sie k?nnen durch verschiedene elektrische Operationen zur?ckgesetzt werden. Diese Fehler werden als weiche Fehler bezeichnet, die wiederherstellbar sind.
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