Implantation, Diffusion Et Activation Des Dopants Dans Le Germanium [French]

By Stephane Koffel

Le germanium est un candidat pour la r alisation des futurs transistors MOS, du fait de la plus grande mobilit des porteurs par rapport au silicium. Il a t abandonn il y a une quarantaine d'ann es au profit du silicium et doit donc tre red couvert. Le but de ce travail est de comprendre les m canismes mis en jeu au cours du dopage du germanium. Il est d'abord v rifi que le mod le de la densit d' nergie critique permet de pr dire la formation et l'extension des couches amorphes dans le germanium. La vitesse d' pitaxie en phase solide est ensuite mesur e et pour la premi re fois dans le germanium, des d fauts end-of-range sont observ s. Ceux-ci sont de nature interstitielle. Le phosphore enfin permet d'obtenir des jonctions plus fines et de meilleurs niveaux d'activation que l'arsenic. Sa diffusion est simul e, avec un mod le prenant en compte l'exc s d'interstitiels g n r par implantation. Un ph nom ne de diffusion acc l r e est ainsi mis en vidence.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131515980
• ISBN13: 9786131515989
• Release Date: August 2010
• Publisher: Omniscriptum
• Length: 120 Pages
• Weight: 0.41 lbs.
• Dimensions: 0.3" x 6.0" x 9.0"