Hétérostructures Gan/ALN À Champ Électrique Interne Réduit [French]

By S Bastien Founta and Founta-S

Ce travail traite de la croissance et des proprietes optiques d'heterostructures GaN/AlN a champ electrique interne reduit, deposees sur SiC par epitaxie par jets moleculaires assistee par plasma. Nous avons d'abord etudie les proprietes de structures GaN/AlN en phase wurtzite deposees sur SiC (11-20) ou plan a. A l'inverse de l'orientation (0001), la croissance du GaN sur l'AlN en conditions d'exces de Ga permet de former des boites quantiques de GaN par le mode Stranski-Krastanow, et la croissance en conditions d'exces d'azote aboutit a la formation de puits quantiques de GaN. Dans les deux cas, la morphologie des couches est influencee a la fois par l'anisotropie de la couche tampon d'AlN sous-jacente et par la polarite du materiau. Des etudes optiques ont montre une forte reduction du champ electrique interne par rapport a l'orientation (0001). Enfin, nous avons etudie les proprietes des nitrures en phase zinc-blende. Nous avons determine les parametres permettant de controler la formation des boites quantiques de GaN/AlN, en insistant sur le role de la rugosite de l'AlN. Des etudes optiques ont revele une polarisation de la photoluminescence des boites a temperature ambiante."

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131577277
• ISBN13: 9786131577277
• Release Date: June 2011
• Publisher: Omniscriptum
• Length: 196 Pages
• Weight: 0.65 lbs.
• Dimensions: 0.5" x 6.0" x 9.0"