Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernst?ck der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsf?higkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst m?glich. Da f?r deren Anwendung nicht nur die Vorg?nge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerst?rungsmechanismen und St?rungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. F?r den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet. Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenh?nge bei Transistoren und Thyristoren pr?ziser dar. Sie ber?cksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Erg?nzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.
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