Afin de r aliser des jonctions p/n en diamant, des tudes ont t men es sur le substrat et sur les couches de diamant CVD dop es n et p. Les d fauts de surface et internes au substrat de diamant ont t analys s par AFM ou par DRX. Les d fauts dus au polissage de la surface du substrat ont t identifi s comme pouvant d t riorer la qualit cristalline des couches CVD. L''efficacit d''un pr traitement par gravure RIE a t prouv e par la diminution de l'' mission de bande A reli e aux dislocations et par l''augmentation de la mobilit de Hall. Les donn es exp rimentales ont t compar es un mod le de mobilit bas sur l''approximation du temps de relaxation permettant de mettre en vidence la d pendance en temp rature des diff rents modes de diffusion par les impuret s et les phonons ainsi que la d termination du potentiel de d formation acoustique du diamant de 17.7 eV. La valeur maximum de mobilit l'' quilibre thermodynamique a ainsi pu tre d termin e. Un nouveau mode de diffusion a t mis en vidence pour les chantillons non trait s. Les propri t s de couches de diamant couvrant une large gamme de dopage ont t examin es en fonction de l''incorporation d''atomes dopants.
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