Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n [French]

By Chakroun Bilel

Les mat?riaux ? haut d?saccord d'?lectron?gativit? HMAs (High Mismatched Alloys), tels que III-V-N-Bi, pr?sentent des propri?t?s ?lectriques et optiques adapt?es ? la r?alisation des dispositifs opto?lectroniques. Les quaternaires GaNAsBi d?voilent une bonne stabilit? thermique de ces propri?t?s physiques lors de fonctionnement ? temp?rature variable. Actuellement, le d?veloppement technologique de techniques d'?laboration, telles que l'EJM et l'EPVOM, permet d'atteindre des compositions autour de 10% en Bi et ouvre la voie devant l'?pitaxie d'une nouvelle g?n?ration des h?t?rostructures quantiques ? base de GaAsBi, GaAsN et GaNAsBi. Malgr? la nature intrins?que de ces structures quantiques, les ?tudes men?es ? pr?sent montrent qu'elles peuvent ?tre des candidates potentielles dans la fabrication des photod?tecteurs ou ?metteurs thermiquement stables et op?rants dans les longueurs d'ondes 1,3 et 1,55 m destin?es aux t?l?communications optiques. Par comparaison aux travaux r?alis?s sur les mat?riaux III-V, il est vital que les choix du taux de dopage ainsi que la zone ? doper dans une structure con?ue pour une application donn?e soient parmi les facteurs ? optimiser.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6203430978
• ISBN13: 9786203430974
• Release Date: December 2021
• Publisher: Editions Universitaires Europeennes
• Length: 164 Pages
• Weight: 0.55 lbs.
• Dimensions: 0.4" x 6.0" x 9.0"