Estudo do potencial de superfície sublimiar de MOSFETs [Portuguese]

By Swapnadip De, Poulami Dutta, Ishita Gupta

Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influ ncia das camadas de deple o em torno das regi es de fonte e dreno nas caracter sticas sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido um modelo anal tico para o potencial de superf cie sublimiar num trans stor MOS de canal curto, resolvendo a equa o de Poisson pseduo-2D, formulada atrav s da aplica o da lei de Gauss a uma caixa retangular no canal que cobre toda a profundidade da camada de deple o. O modelo foi capaz de prever uma maior influ ncia das regi es de deple o da jun o para um comprimento de canal menor e/ou tens es de polariza o dreno/fonte mais elevadas devido a uma maior partilha de carga. O mesmo modelo aplicado para encontrar o potencial de superf cie sublimiar para MOSFETs de duplo halo. A diminui o da dimens o do dispositivo leva redu o da espessura do xido de porta. Como resultado, o efeito indesej vel de electr es quentes e a corrente de tunelamento da porta aumentam. Para ultrapassar este inconveniente, s o utilizados materiais high-k em vez de di xido de sil cio como material isolante por baixo da porta. Esta modela o revelar-se- ben fica e contribuir para futuros trabalhos de investiga o.

• Format: Paperback
• Language: Portuguese
• ISBN: 6206353176
• ISBN13: 9786206353171
• Release Date: August 2023
• Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento
• Length: 68 Pages
• Weight: 0.25 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"