Neste estudo, investig mos as propriedades f sicas, estruturais, electr nicas, pticas, el sticas, mec nicas, termodin micas e termoel ctricas de perovskitas CsSnX3 (X = Cl, Br) sem chumbo, amigas do ambiente, utilizando o m todo FP-LAPW com as aproxima es GGA e GGA + mBJ. Os compostos estudados apresentam carater sticas de semicondutores de bandgap direto com mistura iono-covalente nas liga es CsSnX3. Em particular, apresentam uma excecional absor o de luz e condutividade tica, o que os torna adequados para uma aplica o espec fica. As constantes el sticas dos compostos e os v rios m dulos foram determinados pela primeira vez. Os c lculos das propriedades de transporte revelam um coeficiente de m rito elevado, pr ximo da unidade temperatura ambiente. Os materiais de perovskite sem chumbo baseados no halogeneto CsSnX3 (Cl, Br) t m um grande potencial para aplica es optoelectr nicas e termoel ctricas devido s suas propriedades f sicas not veis e sua natureza amiga do ambiente. Isto torna-os altamente atractivos para aplica es industriais.
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