Les semi-conducteurs magn?tiques dilu?s dop?s aux m?taux de transition (MT) peuvent utiliser le spin de l'?lectron en plus de sa charge pour am?liorer encore les fonctionnalit?s de la micro?lectronique et ont des applications potentielles en spintronique. Le dopage d'ions magn?tiques dans les semi-conducteurs II-IV est plus efficace que les syst?mes d'oxyde m?tallique et modifie leurs ph?nom?nes de transport d'?lectrons, ce qui influence les niveaux d'?nergie des coquilles ouvertes de type d ou f par rapport au niveau de Fermi et aux bords de la bande. Les auteurs ont choisi des DMS ? base de sulfure de cadmium (CdS) avec le dopant Cobat (Co) parce que les interactions d'?change sp-d dans les semi-conducteurs II-VI dop?s au Co sont beaucoup plus importantes que celles des semi-conducteurs dop?s au Mn; en outre, la taille des atomes de Co et de Cd est compatible entre eux, d'o? une perturbation n?gligeable de la bande de conduction. Ainsi, les propri?t?s physiques et chimiques du mat?riau sont am?lior?es gr?ce ? l'interaction porteur-spin, au couplage de spin entre les ions h?tes et ? l'hybridation de l'anion et des ions de m?taux de transition h?tes. Dans le pr?sent travail, nous avons ?tudi? le mode des phonons optiques et les propri?t?s thermiques des nanoparticules de CdS avec diff?rentes concentrations molaires de dopant Co.
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