Entwurf Und Herstellung Eines Metall-Metalloid-Dünnschichttransistors [German]

By Dr Swati Arora

In dieser Arbeit wurden Metall und Metalloid auf einem Glassubstrat als D nnschichtproben hergestellt, wobei ein elektrisches Verhalten festgestellt wurde, das dem eines D nnschicht-Feldeffekttransistors hnelt. Metallkontakte (Al/Cu) und ein Metalloid-Kanal (Se) wurden als Feldeffekttransistor auf dem Glassubstrat verwendet, indem Source-, Drain- und Top-Gate-Metallkontakte aufgebracht wurden. Der Tr gerfluss von der Source zum Drain kann mit einem Schottky-Metall-Gate gesteuert werden. Der Kanalstrom wurde durch eine Verarmungsschicht variabler Breite ber den Metallkontakt gesteuert, wodurch die Dicke des leitenden Kanals moduliert wurde. Source und Drain der FET-Struktur wurden durch Metallschichten aus Al oder Cu definiert, die nacheinander auf das Se in den definierten Kontaktmustern durch thermisches Verdampfen unter Verwendung einer Vakuum-Beschichtungsanlage aufgebracht wurden. Ihre elektrischen Eigenschaften wurden bestimmt. Das Ger t wird verwendet, um den Strom zwischen Drain und Source bei unterschiedlichem Potenzial zwischen Gate und Source ($V_{GS}$) zu steuern, wodurch eine freie Ladungsakkumulation am Metall-Halbleiter- bergang induziert wird. D nnschichten aus Aluminiumselenid wurden bei 50 C und 100 C getempert und anschlie end durch R ntgenbeugung und optische Spektroskopie best tigt.

• Format: Paperback
• Language: German
• ISBN: 6209719627
• ISBN13: 9786209719622
• Release Date: April 2026
• Publisher: Verlag Unser Wissen
• Length: 76 Pages
• Weight: 0.25 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"