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Paperback Entwicklung, Design und Analyse von Typ-II-Nanosystemen mit Hetero-Spannung [German] Book

ISBN: 6209423841

ISBN13: 9786209423840

Entwicklung, Design und Analyse von Typ-II-Nanosystemen mit Hetero-Spannung [German]

Dieses Buch befasst sich mit der Weiterentwicklung und Analyse von zylindrischen FETs mit verspanntem Kanal und zylindrischem Gate (CGAA - cylindrical gate-all-around). Die Studie untersucht ein Design im Nanoma stab, das drei ultrad nne verspannte Schichten enth lt: zwei u ere Schichten aus verspanntem Silizium (s-Si) und eine mittlere Schicht aus verspanntem Silizium-Germanium (s-SiGe), die eine Heterostruktur auf einem Isolator (HOI) innerhalb des CGAA-FETs bilden. Diese verspannten Schichten im Kanal schr nken Quantenladungstr ger wirksam ein, wodurch die Ladungstr gerbeweglichkeit erh ht und der Schwellenspannungsabfall verringert wird.

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