Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment [German]

By Radhika Ikkurti

Es gibt eine kurze Zusammenfassung dar ber, wie Energiel cken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel gr er als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne nh, w hrend die Lochdichte im Halbleiter vom p-Typ viel gr er ist gr er als die Elektronendichte: nh ne.In einem Halbleiter vom n-Typ liegt das Donatorenergieniveau nahe am Leitungsband und entfernt vom Valenzband. Im p-Typ-Halbleiter hingegen liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt.Die im p-Typ-Halbleiter hinzugef gte Verunreinigung sorgt f r zus tzliche L cher, die als Akzeptoratome bekannt sind, w hrend die im n-Typ-Halbleiter hinzugef gte Verunreinigung zus tzliche Elektronen liefert, die als Donoratome bezeichnet werden.Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband, w hrend das des p-Typ-Halbleiters zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband liegt.Im p-Typ-Halbleiter bewegen sich die Mehrheitstr ger vom h heren zum niedrigeren Potenzial, im Gegensatz zum n-Typ, wo sich die Mehrheitstr ger vom niedrigeren zum h heren Potenzial bewegen.

• Format: Paperback
• Language: German
• ISBN: B0CKKZYPM8
• ISBN13: 9786206534457
• Release Date: October 2023
• Publisher: Verlag Unser Wissen
• Length: 56 Pages
• Weight: 0.21 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"