Leiter, Halbleiter (direkte und indirekte Bandl cke) und Isolatoren spielen in den Forschungsfeldern Physik und Materialwissenschaften eine wichtige Rolle. Fast alle Materialien weisen irgendeine Art von elektronischen Eigenschaften auf. Wir haben die Berechnung zur Untersuchung der Bandstruktur und Zustandsdichte (DoS) mithilfe des WIEN-Codes in der Dichtefunktionaltheorie (DFT) durchgef hrt. In dieser Arbeit wird die Bandstrukturberechnung f r Mangan (Mn), Silizium (Si) - indirekte Bandl cke, Indium-Phosphor (In-P) direkte Bandl cke und Brom (Br) durchgef hrt, die eng mit den verf gbaren experimentellen Ergebnissen bereinstimmt. Ferner wird aus der Untersuchung der gesamten und partiellen Zustandsdichte von Mn, vSi, In-P und Br ersichtlich, dass es sich bei den Materialien um Leiter, Halbleiter (indirekte und direkte Bandl cke) und Isolatoren handelt. Zun chst wird die Struktur mit den vorhandenen Gitterparametern optimiert und die elektronischen Eigenschaften f r die optimierte Struktur bestimmt. Das Bandprofil und die DoS-Histogramme weisen auf die Beweglichkeit der Elektronen vom Valenzband zum Leitungsband hin. Die vorhandene/nicht vorhandene Energiel cke zwischen dem Valenz- und Leitungsband wird untersucht, um die Leitf higkeit der gemeldeten Materialien zu ermitteln.
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