Organische Leuchtdioden (OLEDs) haben in der Displaytechnologie industrielle Reife erreicht, da sie herausragende Vorteile wie hohe Helligkeit, schnelle Reaktionszeiten, einen gro en Betrachtungswinkel, mechanische Flexibilit t und niedrige Herstellungskosten bieten. Aufgrund ihrer F higkeit zur Elektrolumineszenz (EL) aus Triplett- sowie Singulett-Anregungszust nden haben phosphoreszierende OLEDs (PHOLEDs) das Potenzial, eine interne Quanteneffizienz von 100 % zu erreichen. Daher k nnen PHOLEDs eine wettbewerbsf hige externe Quanteneffizienz bieten. Allerdings ist die Betriebsstabilit t von PHOLEDs relativ schlecht. Es wurden mehrere Mechanismen vorgeschlagen, um die chemischen und physikalischen Ph nomene im Zusammenhang mit der intrinsischen Degradation von PHOLEDs zu adressieren, dennoch sind die Gr nde f r den Spannungsanstieg und den Helligkeitsverlust, die mit dem Langzeitbetrieb von PHOLEDs einhergehen, noch nicht vollst ndig gekl rt. Durch die Untersuchung der Indiumzinnoxid (ITO)/organischen Grenzfl che in vereinfachten PHOLEDs wurde festgestellt, dass diese Grenzfl che f r die Leistung von PHOLEDs entscheidend ist. Die Studie zeigt, dass diese Grenzfl che f r die Gesamtstabilit t von PHOLEDs entscheidend ist und als einer der limitierenden Faktoren f r die langfristige Betriebsstabilit t vereinfachter PHOLEDs angesehen wird.
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