Les technologies bipolaires jouent des roles primordiaux dans les systemes spatiaux soumis a des conditions radiatives. Dans un environnement ionisant, le courant de base des transistors bipolaires augmente et le gain en courant diminue. Pour une meme dose totale, de nombreuses technologies bipolaires se degradent plus a faible debit de dose qu'a fort debit ce qui pose un probleme au niveau du durcissement. Des methodes de prediction de la reponse faible debit de dose, telles que les irradiations en temperatures, ont donnees des resultats prometteurs pour l'identification de technologies montrant une augmentation de la degradation a faible debit de dose. Cependant, aucun test s'appliquant a toutes les technologies bipolaires n'a ete identifie. En se basant sur un travail experimental, une explication physique des phenomenes se produisant au cours d'irradiations a temperatures elevees a ete donnee et un modele de degradation a ete developpe. A partir de l'observation des resultats obtenus, une nouvelle approche du test de composants est proposee. Cette approche est basee sur la commutation d'un fort debit de dose vers un faible debit."
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