Ce livre porte sur l'?tude de d?p?t de couches minces par la pulv?risation cathodique qui pr?sente la partie la plus utilis?e dans le processus de d?p?t physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).La pulv?risation est caract?ris? par un rendement de pulv?risation Y qui d?pend de plusieurs param?tr?s, en particulier I'?nergie des ions pulv?ris?s en incidence normale et avec une variation de l'angle. Nos recherches sont envisag?es dans une premi?re ?tape pour calculer Y de trois m?taux: le cuivre, l'argent et l'aluminium. Ces derniers entrent en collision avec des ions d'argon, du x?non, et de N?on en utilisant un logiciel hautement d?velopp? appel? SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter) en incidence normale, puis avec des angles varies.L'?nergie et le nombre de particules arrivant au substrat au cours du d?p?t physique en phase vapeur (PVD) sont aussi en ?troite relation avec divers param?tres. Dans ce travail, nous pr?sentons l'influence de la distance cible-substrat et la pression de gaz dans le proc?d? de pulv?risation de couches d?pos?es de m?taux (Cu, Al et Ag) et de semiconducteurs (Ge, Te et Si)
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