Diese Studie berichtet ber das Wachstum von Zinnsulfid-D nnfilmen unter Verwendung einer kosteng nstigen chemischen Badabscheidungstechnik. Es ist so wichtig, die Entwicklung von D nnfilmen zu kontrollieren. Es wurden verschiedene Analysen durchgef hrt, wie z. B.: XRD, SEM, EDS, AFM, Spektrophotometrie und TSC. All diese Analysen erm glichten es uns, die physikalischen Eigenschaften von SnS-D nnfilmen f r Solarzellen zu verbessern. In diesem Zusammenhang haben wir Zinnsulfid-D nnschichten entwickelt, die als Absorbermaterial in Photovoltaikger ten verwendet werden. Zu diesem Zweck wurden verschiedene Dotierungen wie Eisen, Silber und Gallium sowie ein Gl hen in einer kontrollierten Atmosph re vorgenommen, um die Leitf higkeit dieser D nnschichten zu erh hen. Die Dotierung erfolgte w hrend des Wachstumsprozesses durch Zugabe einer entsprechenden Konzentration der w ssrigen L sungen, die Fe2+-, Ag2+- und Ga2+-Ionen enthielten. Die physikalischen Eigenschaften wurden durch XRD, AFM, SEM und TSC untersucht. Sp ter wurde festgestellt, dass die dotierten SnS-D nnschichten nicht zu einer Verringerung des spezifischen Widerstands f hren. Daher werden derzeit weitere physikalische Charakterisierungen durchgef hrt, um die Eigenschaften der D nnschichten und insbesondere den spezifischen Widerstand durch eine geeignete W rmebehandlung unter kontrollierter Atmosph re zu optimieren.
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