Dise?o l?gico de circuitos digitales usando dispositivos con caracter?stica NDR [Spanish]

By Juan Núñez Martínez

Tesis Doctoral / Disertaci n del a o 2011 en eltema Ingenier a el ctrica, Universidad de Sevilla, Materia: Microelectr nica, Idioma: Espa ol, Resumen: En esta tesis doctoral se han desarrollado t cnicas de dise o para circuitos electr nicos integrados que empleen dispositivos con una, o varias, regiones de resistencia diferencial negativa (Negative Differential Resistance, NDR) en su caracter stica IV. Uno de los dispositivos m s representativos con este tipo de caracter stica es el diodo basado en el efecto t nel resonante (Resonant Tunneling Diode, RTD). Las ventajas de velocidad, consumo y complejidad reducidas que ofrecen estos diodos frente a realizaciones convencionales, ya demostradas en tecnolog as III/V, se asocian a la presencia de esta regi n NDR. El escalado de la tecnolog a MOS basada en silicio est alcanzando sus l mites, en cuanto a densidad y prestaciones, debido a limitaciones f sicas fundamentales por lo que la inclusi n de dispositivos nanoelectr nicos, en los que se utilizan efectos cu nticos para obtener las funciones t picas del transistor, es una alternativa que debe ser considerada para la que, de hecho, puede constatarse una creciente actividad investigadora.

• Format: Paperback
• Language: Spanish
• ISBN: 3656043531
• ISBN13: 9783656043539
• Release Date: November 2011
• Publisher: Grin Verlag
• Length: 250 Pages
• Weight: 0.73 lbs.
• Dimensions: 0.6" x 5.8" x 8.3"