The Principles and Uses of Nanophotonic: QWs, QWWs und QDs nichtlinearer optoelektronischer nanostrukturierter Materialien und ihre u eren photoelektrischen Folgen: Unter Verwendung eines k rzlich entwickelten Elektronendispersionsgesetzes, das die Anisotropien der Spin-Orbit-Konstanten, die effektive Masse der Elektronen und die Kontrolle der Kristallfeldaufspaltung im Rahmen des k.p-Formalismus ber cksichtigt, wird der externe photoelektrische Effekt von Quantent pfen, Quantentopfdr hten und Quantenpunkten aus nichtlinear optischen und optoelektronischen nanostrukturierten Materialien untersucht. Zus tzlich wurde der externe photoelektrische Effekt f r II-VI und quantenbegrenzte optoelektronische Materialien (wie QWs, QWWs und QWs) berechnet.Anhand von quantenbegrenzten Hg1-xCdxTe-, CdGaAs2- und In1-xGaxAsyP1-y-Gittern, die an CdS, InP und gestresstes InSb angepasst sind, wurde entdeckt, dass der externe photoelektrische Effekt Plateaus als Funktion der einfallenden Photonenenergie aufweist, was aus experimenteller Sicht entscheidend ist. Unser verallgemeinerter Ansatz ist auf die numerischen Ergebnisse von quantenbeschr nkten optoelektronischen III-V entarteten Halbleitern spezialisiert.
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