Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche: Eine Photoemissionsstudie [German]

By Klaus Winnerlein

Inhaltsangabe: Problemstellung: In den letzten Jahren wurden die polaren Oberfl chen von III-V-Halbleitern in zunehmendem Ma e mit Molekularstrahlepitaxie (MBE=molecular beam epitaxy) hergestellt. Die so erhaltenen, sauberen, Oberfl chen m ssen beim Transport durch die Atmosph re vor Verunreinigungen und Oxidation gesch tzt werden. Dazu wurde von Kowalczyk et al. 1] die Technik entwickelt, die Proben vor dem Ausbau aus der MBE-Kammer mit einem dicken Film elementaren As zu passivieren. F r die weitere Anwendung oder Untersuchung der Probe kann die As-Schutzschicht dann durch Heizen der Probe entfernt werden. W hrend des Abheizprozesses k nnen sich verschiedene Phasen der Oberfl che ausbilden, die sich in ihrer Struktur, ihrer chemischen Zusammensetzung und ihren elektronischen Eigenschaften unterscheiden. Will man an der Probe dann oberfl chensensitive Experimente, beispielsweise Photoelektronenholographie 2], durchf hren oder die technologisch bedeutsame Ausbildung von Schottky-Barrieren nach Metall-Deposition (3, 4] untersuchen, so ist aus den genannten Gr nden eine genaue Kenntnis des Abheizprozesses w nschenswert. Die Untersuchung des Abheizprozesses und der dabei erhaltenen Oberfl chen hat sich in der Vergangenheit in erster Linie auf die GaAs(100)-Oberfl che und ihre unterschiedlichen Rekonstruktionen beschr nkt 31-(8). In dieser Arbeit wird das Abheizen einer As-Schutzschicht von einer GaAs(111)-Oberfl che untersucht. Die Charakterisierung der durch das Abheizen erhaltenen Oberfl chen erfolgt dabei mittels winkelaufgel ster Photoemission. Auch wird versucht, die M glichkeiten der winkelaufgel sten Photoemission in Verbindung mit Synchrotronstrahlung zur Bestimmung der Valenzbandstruktur zu nutzen. Im ersten Kapitel dieser Arbeit werden daher zun chst die Grundlagen der Photoemission sowie die Analyse der durch die Experimente erhaltenen Daten erl utert. Anschlie end werden einige f r das Verst ndnis der Arbeit wichtige Eigenschaften der GaAs(111)-Oberfl ch

• Format: Paperback
• Language: German
• ISBN: 3838613228
• ISBN13: 9783838613222
• Release Date: January 1993
• Publisher: Diplom.de
• Length: 116 Pages
• Weight: 0.35 lbs.
• Dimensions: 0.3" x 5.8" x 8.3"