Diplomarbeit aus dem Jahr 1999 im Fachbereich Ingenieurwissenschaften - Maschinenbau, Note: 3, Universit t Hamburg, Sprache: Deutsch, Abstract: In der heutigen Zeit werden in immer mehr Ger ten Halbleiterbauelemente eingesetzt. Unter der Zielsetzung, m glichst viele Strukturen auf einer Fl che unterzubringen, haben sich tztechniken zu einem der wichtigsten Werkzeuge bei der Herstellung von Halbleiter-Mikrostrukturen entwickelt. Jede Weiterentwicklung der tztechnik erlaubt die genauere Kontrolle der tzrate, der Selektivit t, der Flankensteilheit, der immer besseren Reproduzierbarkeit des tzvorganges und dergleichen mehr. Jede tztechnik sch digt aber auch den zu tzenden Halbleiterkristall. So ist die Auswahl einer tztechnik ein Abw gen der Vorteile und Nachteile. Dabei zeigt sich, da trotz der mehr als f nfzigj hrigen Forschung ber Halbleiter bzw. Halbleiterbauelemente auch heute noch neue Erkentnisse in diesem Bereich gewonnen werden. Ebenso m ssen die vorhandenen physikalischen Modelle f r die neuen Anforderungen und Techniken angepa t oder erweitert werden. Mit der zunehmenden Nutzung der in den siebziger Jahren entwickelten epitaktischen Herstellungsverfahren f r Halbleiter, wieder Molekularstrahlepitaxie (MBE) und der Metall-Organischen Gasphasenepitaxie (MOCVD), ist es heute m glich, Halbleiter-Heterostrukturen aus dem Gallium-Arsenid / Aluminium-Gallium-Arsenid-Materialsystem herzustellen. Solche Strukturen finden heute ihren Nutzen in der Herstellung von schnellen Bauteilen, wie sie in der Nachrichten- und Optoelektronik verwendet werden. Diese Diplomarbeit im Rahmen eines BMBF-Projektes am Mikrostrukturzentrum der Universit t Hamburg untersucht die durch einen CAIBE-Proze verursachte Sch digung eines GaAs-Halbleiters. Ziel ist es die Art und Tiefe der Sch den in Abh ngigkeit von verschiedenen Parametern des CAIBE-Prozesses zu untersuchen.
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