Croissance et caractérisation des cristaux [French]

By Abdelkader Benzian

La croissance d'un semi-conducteur sur un autre, connue sous le nom de processus d'h t ro pitaxie, a permis la production d'une large gamme de dispositifs dits h t ro pitaxi s, tels que les diodes lectroluminescentes haute luminosit , les lasers et les transistors haute fr quence. Le d veloppement de dispositifs utilisant d'autres mat riaux est bas sur le choix du substrat et est repr sent par la combinaison couche pitaxiale/substrat. Cette combinaison, qui utilise le processus de croissance, n cessite la r alisation d'un maximum de compatibilit chimique et cristallographique dans laquelle l'orientation cristallographique de la couche est exactement d termin e par le cristal du substrat. La structure de surface du cristal de substrat peut avoir un effet important sur les propri t s du cristal pitaxi . Par ailleurs, l'homo pitaxie est un autre processus qui diff re de l'h t ro pitaxie, si le substrat et la couche ont la m me composition chimique, on parle d'homo pitaxie, comme GaAs/GaAs, et on parle d'h t ro pitaxie, si la couche/le substrat ont une composition chimique diff rente, comme InP/GaAs. Ces mat riaux sont utilis s pour produire des diodes lectroluminescentes de haute qualit et des transistors haute mobilit .

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6208597919
• ISBN13: 9786208597917
• Release Date: January 2025
• Publisher: Editions Notre Savoir
• Length: 60 Pages
• Weight: 0.21 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"