Crescita e caratterizzazione dei cristalli [Italian]

By Abdelkader Benzian

La crescita di un semiconduttore su un altro noto come processo di eteroepitassi ha sviluppato la produzione di un'ampia gamma di dispositivi cosiddetti eteroepitassiali, come diodi ad alta luminosit , laser e transistor ad alta frequenza. Lo sviluppo di dispositivi che utilizzano altri materiali si basa sulla scelta del substrato ed rappresentato dalla combinazione strato epitassiale/substrato. Questa combinazione, utilizzando il processo di crescita, richiede la realizzazione della massima compatibilit chimica e cristallografica, in cui l'orientamento cristallografico dello strato esattamente determinato dal cristallo del substrato. La struttura superficiale del cristallo del substrato pu avere un effetto importante sulle propriet del cristallo epitassiale. D'altra parte, l'omoepitassia un altro processo che si differenzia dall'eteroepitassia: se il substrato e lo strato hanno la stessa composizione chimica si parla di omoepitassia, come nel caso di GaAs/GaAs, e si parla di eteroepitassia, se lo strato/substrato hanno una composizione chimica diversa, come nel caso di InP/GaAs. Questi materiali sono utilizzati per produrre LED di alta qualit e transistor ad alta mobilit .

• Format: Paperback
• Language: Italian
• ISBN: 6208597935
• ISBN13: 9786208597931
• Release Date: January 2025
• Publisher: Edizioni Sapienza
• Length: 60 Pages
• Weight: 0.21 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"