Crescimento e caraterização de cristais [Portuguese]

By Abdelkader Benzian

O crescimento de um semicondutor sobre outro, conhecido como processo de heteroepitaxia, desenvolveu a produ o de uma vasta gama dos chamados dispositivos heteroepitaxiais, tais como d odos emissores de luz de alto brilho, lasers e trans stores de alta frequ ncia. O desenvolvimento de dispositivos que utilizam outros materiais baseia-se na escolha do substrato e representado pela combina o camada epitaxial/substrato. Esta combina o, utilizando o processo de crescimento, exige que se realize ao m ximo a compatibilidade qu mica e cristalogr fica, na qual a orienta o cristalogr fica da camada exatamente determinada pelo cristal do substrato. A estrutura da superf cie do cristal do substrato pode ter um efeito importante nas propriedades do cristal epitaxial. Por outro lado, a homoepitaxia outro processo diferente da heteroepitaxia, se o substrato e a camada tiverem a mesma composi o qu mica, falamos de homoepitaxia, como GaAs/GaAs, e falamos de heteroepitaxia, se a camada/substrato tiverem composi es qu micas diferentes, como InP/GaAs. Estes materiais s o utilizados para produzir dispositivos LED de alta qualidade e trans stores de elevada mobilidade.

• Format: Paperback
• Language: Portuguese
• ISBN: 6208597943
• ISBN13: 9786208597948
• Release Date: January 2025
• Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento
• Length: 60 Pages
• Weight: 0.21 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"