Neste estudo, as pel?culas finas de ?xido de estanho ?ndio (ITO) foram cultivadas tanto por t?cnicas de pulveriza??o de magnetr?es DC como RF. Para conhecer a taxa de deposi??o de ITO, os sistemas foram calibrados tanto para DCMS como para RFMS e depois as ITO foram cultivadas em substrato de vidro com a espessura de 70 nm e 40 nm por altera??o da temperatura do substrato. Foi investigado o efeito da temperatura do substrato, da espessura da pel?cula e do m?todo de pulveriza??o cat?dica nas propriedades estruturais, el?ctricas e ?pticas. Os resultados mostram que a temperatura do substrato e a espessura da pel?cula afectam substancialmente as propriedades da pel?cula, especialmente a cristaliza??o e a resistividade. As pel?culas finas cultivadas a uma temperatura inferior a 150 oC mostraram uma estrutura amorfa. No entanto, a cristaliza??o foi detectada com o aumento adicional da temperatura do substrato. Calculou-se que a diferen?a de banda de ITO era de cerca de 3,64eV ? temperatura do substrato de 150 oC, e alargou-se com o aumento da temperatura do substrato. A partir de medi??es el?ctricas, a resistividade ? temperatura ambiente foi obtida 1,28?10-4 e 1,29?10-4 D-cm, para os filmes com DC e RF sputtered, respectivamente. Tamb?m medimos a resistividade dependente da temperatura e o coeficiente Hall dos filmes, e calcul?mos a concentra??o portadora e a mobilidade Hall.
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