Couplage excitons-lumière dans des hétérostructures en gan et zno [French]

By Marian Zamfirescu

Les semi-conducteurs grand gap sont utilis s pour fabrication d'' metteurs de lumi re dans le domaine spectrale UV-VIS. Mat riaux comme GaN et ZnO pr sentent des propri t s excitoniques sp ciales: la force d''oscillateur est lev e et l'' nergie de liaison des excitons est grande. Due l'' largissement inhomog ne des excitons assez important dans les h t rostructures, les r sonances des excitons sont larges, ce qui rend difficile et impr cise l''extraction de leur param tres. Ce travail est consacr l'' tude th orique et exp rimentale des puits quantiques GaN/AlGaN et ZnO massif, bas e sur l''analyse de leurs spectres de r flectivit . Une technique d''analyse originale des spectres de r flectivit exp rimentaux a t d velopp e et employ e pour la d termination de la force d''oscillateur des excitons dans les structures base de GaN et ZnO. Les param tres obtenus ont t utilis s pour proposer des microcavit s mod les, r alis es base de ces mat riaux. Gr ce au r gime de couplage fort exciton-lumi re dans ces structures, la condensation de Bose des polaritons dans les microcavit s est possible jusqu'' la temp rature ambiante.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131527881
• ISBN13: 9786131527883
• Release Date: August 2010
• Publisher: Univ Europeenne
• Length: 168 Pages
• Weight: 0.56 lbs.
• Dimensions: 0.4" x 6.0" x 9.0"