Dans ce travail, nous avons effectu une tude th orique et num rique des propri t s de transport lectronique dans des couches minces m talliques et semiconductrices. Dans une premi re partie, nous avons rappel les diff rents mod les de conduction lectronique dans des couches minces et fils fins m talliques. Puis, nous avons compar les diff rentes quations qui d crivent l' volution de la r sistivit lectrique, en fonction de l' paisseur de la couche, du diam tre des joints de grains, du coefficient de transmission t et du coefficient de r flexion sp culaire p. Ces r sultats th oriques sont compar s aux r sultats exp rimentaux obtenus sur les couches minces de cuivre. Dans une seconde partie, nous avons appliqu la m thode de Monte Carlo aux couches minces de Si-p, dans le mod le des temps de relaxation et nous avons d termin la vitesse des trous en r gime transitoire puis nous avons d duit la variation de la r sistivit lectrique et de la mobilit des trous en fonction de l' paisseur de la couche. La conductivit thermique des couche minces du silicium est galement tudi e.
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