Contribution a la modelisation des tbh si/sige en temperature [French]

By Hassene Mnif, Mnif Hassene, Zimmer Thomas, et al.

La prise en compte de l'effet de la temp rature et en particulier de l'auto- chauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de mani re pr cise des caract ristiques lectriques des transistors bipolaires h t rojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d' tre expos es diff rentes temp ratures et fonctionnant pour des fortes densit s de courant accentuent norm ment ces effets. Par cons quent, une mod lisation pr cise de ces ph nom nes est indispensable. Un mod le dynamique d crivant l'auto- chauffement, caract ris par une l vation de la temp rature de jonction, a t d velopp . Une quivalence lectrique de ce mod le analytique a t r alis e afin qu'il soit compatible avec des mod les lectriques de type SPICE. Un banc de test sp cifique pour valuer le nouveau mod le et extraire ses param tres a t mis en oeuvre. Dans une deuxi me partie, la d pendance en temp rature des diff rents param tres qui peuvent intervenir dans un mod le lectrique compact et en particulier dans le mod le HICUM a t tudi e.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131500843
• ISBN13: 9786131500848
• Release Date: July 2010
• Publisher: Univ Europeenne
• Length: 204 Pages
• Weight: 0.67 lbs.
• Dimensions: 0.5" x 6.0" x 9.0"