Conduction Par Pieges Dans Les Films Minces de Dioxyde de Silicium [French]

By Stéphane BURIGNAT

Le marche des memoires non volatiles a grille flottante connait un essor considerable du fait de leur utilisation croissante dans tous les domaines d'applications de la microelectronique et par consequent dans de tres nombreux secteurs industriels. Cependant, ces dispositifs memoires se heurtent a une limite technologique liee a l'impossibilite de reduire l'epaisseur de la couche d'oxyde tunnel isolant la grille flottante contenant l'information, sans atteindre le domaine des courants de fuite induits (Stress Induced Leakage Current). Ces fuites engendrent des pertes de charge qui diminuent drastiquement le temps de retention et la duree de vie des cellules memoires. A travers ce livre riche en details techniques et scientifiques, l'auteur aborde successivement les nombreuses etapes indispensables qui doivent etre prises en compte lors du developpement d'outils de caracterisation adaptes a la mesure des courants SILC inferieurs au fA. Il explique egalement, en les justifiant, chaque etape de la construction d'un modele de conduction assiste par des pieges situes dans l'oxyde de grille et permettant de realiser l'extraction des profils spatial et energetique de ces defauts."

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131513805
• ISBN13: 9786131513800
• Release Date: July 2010
• Publisher: Editions Universitaires Europeennes
• Length: 268 Pages
• Weight: 0.87 lbs.
• Dimensions: 0.6" x 6.0" x 9.0"