Les portes dynamiques constituent un excellent choix pour la conception de modules haute performance dans les microprocesseurs modernes. Leur seule limite r side dans leur marge de bruit relativement faible par rapport celle des portes CMOS standard. Traditionnellement, ce probl me a t r solu en utilisant un circuit de maintien pMOS qui compense le courant de fuite du r seau nMOS de mise la masse. Dans les noeuds technologiques ant rieurs, le circuit de maintien pouvait am liorer la fiabilit des portes dynamiques avec une perte de performance mineure. Cependant, les tendances la miniaturisation agressive de la technologie CMOS, associ es des niveaux croissants de variations de processus, ont r duit l'efficacit de l'approche traditionnelle par circuit de maintien. Ce probl me est plus grave dans les portes dynamiques large fan-in en raison du grand nombre de dispositifs nMOS pr sentant des fuites connect s au noeud dynamique. Dans ce travail, une porte OU dynamique large fan-in tol rante aux variations de processus est propos e, avec deux nouvelles conceptions de circuits de maintien capables de r duire la contention entre le circuit de maintien et le PDN et, par cons quent, de r duire la dissipation de puissance et le retard.
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