L'application de l'identification par radiofr quence (RFID) ultra-haute fr quence (UHF) a pris de l'ampleur depuis la ratification du protocole EPC Classe 1 G n ration 2 (EPC C1G2, galement connu sous le nom ISO 18000-6C). La disponibilit limit e des diodes barri re Schottky (SBD) a stimul la recherche de solutions de circuits alternatifs pour fabriquer des puces RFID UHF de performances comparables l'aide de proc d s CMOS classiques. Le frontal analogique RFID UHF comprend quatre l ments: un redresseur RF-CC UHF, une r f rence de tension et un r gulateur, un modulateur et un d modulateur. Cet ouvrage identifie le MOSFET seuil dynamique (DTMOST) comme un dispositif prometteur pour les applications tr s faible consommation d' nergie et explore les topologies de circuits et les m thodologies de conception utilisant le DTMOST pour le frontal analogique RFID UHF. Toutes les conceptions et analyses de circuits ont t bas es sur une technologie CMOS 0,18 m six couches m talliques et un seul polysilicium (1P6M) triple puits. Les gains de performance, la consommation d' nergie, l'encombrement et les consid rations de conception associ s aux techniques DTMOST ont t compar s et contrast s avec les cellules traditionnelles.
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