Conception Et Fabrication d'Un Transistor À Couche Mince Métal-Métalloïde [French]

By Dr Swati Arora

Dans ce travail, le m tal et le m tallo de ont t fabriqu s sur un substrat de verre sous forme d' chantillons en couches minces, et leur comportement lectrique s'est av r similaire celui d'un transistor effet de champ couches minces. Des contacts m talliques (Al/Cu) et un canal m tallo de (Se) ont t utilis s comme transistor effet de champ sur le substrat de verre en d posant les contacts m talliques de source, de drain et de grille sup rieure. Le flux de porteurs de la source vers le drain peut tre contr l par une grille m tallique Schottky. Le courant du canal a t contr l par une couche de d pl tion de largeur variable via le contact m tallique, modulant ainsi l' paisseur du canal conducteur. La source et le drain de la structure FET ont t d finis par des couches m talliques d'Al ou de Cu d pos es s quentiellement sur le Se selon des motifs de contact d finis par vaporation thermique l'aide d'une unit de rev tement sous vide. Leurs propri t s lectriques ont t d termin es. Le dispositif est utilis pour contr ler le courant entre le drain et la source diff rents potentiels entre la grille et la source ($V_{GS}$), induisant une accumulation de charges libres la jonction m tal-semi-conducteur. Les couches minces de s l niure d'aluminium ont t recuites 50 C et 100 C, confirm es ensuite par diffraction des rayons X et spectroscopie optique.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6209721435
• ISBN13: 9786209721434
• Release Date: April 2026
• Publisher: Editions Notre Savoir
• Length: 76 Pages
• Weight: 0.25 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"