Le domaine de fr quences t rahertz fait la liaison entre le monde des transistors et des lasers. Malgr les nombreuses applications possibles, il n''existe pas, l''heure actuelle, de source t rahertz compacte fonctionnant temp rature ambiante. De m me, pour la d tection d''impulsions t rahertz, il n''existe pas vraiment de syst mes satisfaisants pour des applications en t l communication. Nous avons tudi et caract ris la croissance du GaAsSb pitaxi basse temp rature afin d''obtenir un mat riau r sistif temps de vie des porteurs court pour l'' laboration d''antennes photocondutrices et pour la g n ration d''impulsions t rahertz. En compl ment, nous avons galement r alis des photodiodes transport unipolaire en GaAsSb int gr es monolithiquement avec une antenne t rahertz large bande. Pour la d tection d''impulsions t rahertz, nous avons con u et simul un monostable base de diode effet tunnel r sonnant.
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