I materiali multiferroici a base di manganese, quali BiMnO₃, YMnO₃, HoMnO₃, TbMnO₃ e altri, hanno suscitato grande interesse per i principi fisici fondamentali su cui si basano e per il loro potenziale in varie applicazioni spintroniche, quali testine di lettura e scrittura, sensori di campo e di temperatura, valvole di spin, filtri di spin, giunzioni a tunnel, diodi a giunzione p-n, dispositivi di memoria non volatile ad accesso casuale (NVRAM) e cos via. Al fine di esplorare le varie applicazioni dei multiferroici manganitici drogati e non drogati, su scala nanometrica, la temperatura di sinterizzazione durante il processo di sintesi il fattore chiave. Questo libro tratta l'effetto della dimensione dei cristalliti sul comportamento dielettrico del multiferroico YMnO drogato con Ca e studia l'effetto indotto dalla temperatura di sinterizzazione dei vuoti di ossigeno sulla permittivit dielettrica e sul meccanismo di rilassamento.
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