Inhaltsangabe: Einleitung: Ziel dieser Arbeit war es, ein besseres Verst ndnis der Benetzungseigenschaften von fl ssigem Helium zu erhalten. Ganz allgemein sind Benetzungseigenschaften von gro em technischem Interesse. Beispiele hierf r sind das Aufbringen von Farbe auf eine Oberfl che oder die Herstellung immer kleiner Strukturen in der Halbleiterindustrie. All diese Systeme sind aber sehr komplex und sowohl theoretisch als auch experimentell nicht leicht zug nglich. Als Fl ssigkeit zur Untersuchung der Benetzungseigenschaften zeichnet sich in dieser Hinsicht fl ssiges Helium aus. Aufgrund seiner sehr niedrigen Siedetemperatur (4,2 K) ist es die reinste zug ngliche Fl ssigkeit und die Wechselwirkung mit anderen Atomen ist theoretisch relativ einfach zu beschreiben. C sium als Substrat zeichnet sich dadurch aus, da es neben Rubidium das einzige Substrat ist, auf welchem fl ssiges Helium einen Benetzungs bergang von der nicht benetzenden Phase bei tiefer Temperatur zur benetzenden Phase bei h herer Temperatur zeigt. Zusammenfassung: Zur Untersuchung der Benetzungseigenschaften wurden in einem neuaufgebauten Kryostatensystem erstmals mehrere, sich erg nzende Me methoden verwendet. Zum einen war dies die Oberfl chenplasmonenmikroskopie, eine Standardme methode in der Arbeitsgruppe von Prof. Leiderer. Mit ihr ist m glich lokal aufgel st Informationen ber die Dicke des Heliumfilmes auf dem Substrat zu erhalten. Die zweite Methode war eine Quarzwaage. Diese ist zur Untersuchung von Adsorptionsph nomenen weit verbreitet, und sollte dem Vergleich mit anderen Arbeitsgruppen dienen. Erg nzend war es m glich das System durch Photoelektronenspektroskopie zu untersuchen. Dadurch erhielt ich Informationen ber die Reinheit des C sium-Substrats und hatte auch bei sehr d nnen He-Filmen (1-3 Monolagen Helium) eine sehr hohe Empfindlichkeit. Ergebnis dieser Arbeit ist, da das pr parierte Substrat hinsichtlich seiner Benetzungseigenschaften f r fl ssiges Helium nicht homogen wa
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