Este trabalho envolve o estudo de super-redes de po os qu nticos baseadas em materiais semicondutores II/VI (CdTe)n/(HgTe)n. Estas heteroestruturas possuem propriedades interessantes tanto do ponto de vista estrutural como eletr nico.Foi utilizado o m todo de orbitais lineares de muffin-tin (FP-LMTO), baseado na teoria do funcional de densidade (DFT). A DFT um dos m todos ab initio. As energias de troca e correla o s o descritas atrav s da aproxima o do gradiente generalizado (GGA). As propriedades estruturais dos compostos CdTe e HgTe e das suas super-redes (CdTe)n/(HgTe)n foram calculadas para configura es (n = 1 a 2) na fase zincblenda. Entre os principais resultados encontrados, o par metro a_2,2 duas vezes maior que a_(1,1).As propriedades estruturais calculadas dos compostos CdTe e HgTe apresentam uma boa concord ncia com os dados experimentais e te ricos dispon veis.Com base nas propriedades eletr nicas, observamos que os materiais CdTeet e HgTeet e as suas super-redes possuem um valor de band gap direto.
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