Das Design, die Gesamtleistung, die statische Leistung, die dynamische Leistung, die Einschwingzeit, die Einschwingverz?gerung und der statische Strom in 8T-SRAM- und 10T-SRAM-Zellen werden berechnet und verglichen. Das 8T-SRAM hat die geringste Transistoranzahl und die geringste Fl?cheneffizienz, aber die Betriebsgeschwindigkeit ist etwas reduziert. Die Erh?hung der Transistoranzahl in der 10T-SRAM-Zelle f?hrt jedoch zu einer Vergr? erung der Fl?che und Verz?gerung bei Raumtemperatur. Wenn die Temperatur ab einem bestimmten Wert steigt, schneidet die 10T-SRAM-Zelle besser ab als die 8T-SRAM-Zelle. Dies rechtfertigt die Verwendung von 10T-SRAM-Zellen f?r Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und wechselnden Temperaturbedingungen. Der vorgeschlagene SRAM-Speicherentwurf kann in jeder digitalen Schaltung implementiert werden.
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