L''am lioration permanente des transistors effet de champ, en terme de fr quence, puissance ou rendement, conduit ces composants remplacer progressivement les tubes vides dans les amplificateurs hyperfr quence. Une m thode de caract risation sp cifiques en statique et en hyperfr quence petit signal des transistors effet de champ millim triques en vue d''une utilisation en puissance est pr sent e. Des analyses sont effectu es afin de d terminer les principales limitations de ces composants associ s des propositions d''am liorations. L'' tude se poursuit avec une recherche de l''influence des polarisations drain source et grille source et du d veloppement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un syst me automatis de mesures grand signal dans la bande Ka l''aide d''un banc charge active permettant d''avoir acc s toutes les grandeurs caract ristiques est d velopp . Ces mesures et analyses ont pour objectifs l''am lioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des mod les non lin aires utilis s pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.
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