Analyse du vide induit par la contrainte et de l'électromigration des liaisons Cu-Cu [French]

By Harjinder Singh

L'empilage face ? face sur Wafer to Wafer (WoW) peut ?tre r?alis? pour les interconnexions Cu-Cu ? liaison directe. Une bonne r?sistance m?canique pour soutenir la force de cisaillement pendant l'amincissement peut ?tre obtenue par la liaison Cu. La fabrication de structures d'interconnexion fiables est un d?fi permanent. Les contraintes r?sultent du d?p?t de mat?riaux, du d?calage de la dilatation thermique et de l'?lectromigration. Le d?p?t de mat?riaux g?n?re in?vitablement des contraintes. Les mat?riaux des structures d'interconnexion, s?lectionn?s pour fonctionner comme conducteurs, di?lectriques ou barri?res, ont des coefficients de dilatation thermique dissemblables. La force motrice provient de la contrainte accumul?e en raison de la croissance des grains et du d?calage de la dilatation thermique (CTE) entre l'interconnexion en cuivre et les di?lectriques. L'espace vide est alors cr?? afin de lib?rer la contrainte r?sultante. De m?me, le ph?nom?ne d'?lectromigration caus? par le stress du courant cr?e un vide. Ainsi, dans ce projet, j'ai travaill? sur le vide induit par la contrainte et l'?lectromigration d'un ?chantillon de liaison directe Cu-Cu avec une temp?rature de liaison de 300C.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6205599899
• ISBN13: 9786205599891
• Release Date: January 2023
• Publisher: Editions Notre Savoir
• Length: 56 Pages
• Weight: 0.21 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"