Diese Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von Quantenfilm- bergittern auf Basis von II/VI-Halbleitermaterialien (CdTe)n/(HgTe)n. Diese Heterostrukturen weisen interessante strukturelle und elektronische Eigenschaften auf.Die lineare Muffin-Tin-Orbital-Methode (FP-LMTO) basierend auf der Dichtefunktionaltheorie (DFT) wurde verwendet. DFT ist eine der Ab-initio-Methoden. Die Austausch- und Korrelationsenergien werden mithilfe der generalisierten Gradientenn herung (GGA) beschrieben. Die Struktureigenschaften von CdTe- und HgTe-Verbindungen sowie ihrer (CdTe)n/(HgTe)n- bergitter wurden f r Konfigurationen (n = 1 bis 2) in der Zinkblende-Phase berechnet. Zu den wichtigsten Ergebnissen z hlt, dass der Parameter a2,2 doppelt so gro ist wie a1,1.Die berechneten Struktureigenschaften der CdTe- und HgTe-Verbindungen stimmen gut mit verf gbaren experimentellen und theoretischen Daten berein.Anhand der elektronischen Eigenschaften l sst sich feststellen, dass die Materialien CdTeet und HgTeet sowie deren bergitter einen direkten Bandabstand aufweisen.
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