Analisi del Voiding indotto da stress e dell'elettromigrazione dei legami Cu-Cu [Italian]

By Harjinder Singh

L'impilamento faccia a faccia su Wafer to Wafer (WoW) pu? essere effettuato per le interconnessioni a incollaggio diretto Cu-Cu. Una buona resistenza meccanica per sostenere la forza di taglio durante l'assottigliamento pu? essere ottenuta con l'incollaggio Cu. La realizzazione di strutture di interconnessione affidabili ? una sfida persistente. Le sollecitazioni derivano dalla deposizione del materiale, dalla mancata corrispondenza dell'espansione termica e dall'elettromigrazione. Il deposito di materiale genera inevitabilmente sollecitazioni. I materiali delle strutture di interconnessione, scelti per funzionare come conduttori, dielettrici o barriere, hanno coefficienti di espansione termica diversi. La forza trainante deriva dalle sollecitazioni generate dalla crescita dei grani e dalla mancata corrispondenza dell'espansione termica (CTE) tra l'interconnessione Cu e i dielettrici. Lo spazio vuoto viene quindi creato per rilasciare lo stress risultante. Anche i fenomeni di elettromigrazione causati dalla tensione di corrente creano un vuoto. In questo progetto, quindi, ho lavorato sul vuoto indotto dalle sollecitazioni e sull'elettromigrazione di un campione di incollaggio diretto Cu-Cu con una temperatura di incollaggio di 300 C.

• Format: Paperback
• Language: Italian
• ISBN: 6205599910
• ISBN13: 9786205599914
• Release Date: January 2023
• Publisher: Edizioni Sapienza
• Length: 56 Pages
• Weight: 0.21 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"