Élaboration de Nano-Objets Cristallins (Si Sige) Par Rtcvd [French]

By Clément Pribat

Aujourd'hui, la loi de Moore est affectee par les limitations physiques rencontrees dans les technologies avancees entrainant ainsi leur complexification. Il devient alors necessaire de developper de nouveaux procedes, comme illustre dans le cas de l'epitaxie. Parce que les procedes CVD sont devenus tres performants, ils offrent des solutions technologiques qui permettent de poursuivre la miniaturisation des composants grace a leur integration decisive dans ces technologies. L'objectif de cette these est donc de repondre a cette demande de nouveaux procedes par l'etude de l'elaboration de nano-objets Si & SiGe realises par RTCVD. Dans cet ouvrage, nous discutons des caracteristiques physiques des films Si & SiGe deposes (ou graves) en fonction de parametres physiques (orientation cristalline, temperature...) et de parametres lies aux imperatifs de production (effets de charge, choix d'un procede...). Dans une derniere partie, nous presentons l'effet de recuits sur des objets Si & SiGe de geometrie et de taille differentes. L'ensemble de nos resultats nous a alors permis d'integrer efficacement une etape d'epitaxie dans la fabrication d'un dispositif avance; le transistor FinFET."

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 613156180X
• ISBN13: 9786131561801
• Release Date: February 2011
• Publisher: Omniscriptum
• Length: 276 Pages
• Weight: 0.90 lbs.
• Dimensions: 0.6" x 6.0" x 9.0"