Проектирование SRAM с низки
[Russian]

By Раджан Прасад Трипатхи and Рахул Кумар Верма

Большинство исследований по энергопотреблению схем было сосредоточено на мощности переключения, а мощность, рассеиваемая током утечки, была относительно незначительной областью. Однако в современных технологиях СБИС подпороговый ток становится одним из основных факторов энергопотребления, особенно в памяти высокого класса. Для снижения мощности утечки в SRAM можно применить метод ограничения мощности, а основной техникой ограничения мощности является использование спящих транзисторов для управления подпороговым током. В данном проекте используется двойное пороговое напряжение; обычные ячейки SRAM имеют более низкое пороговое напряжение, а более высокое пороговое напряжение управляет спящими транзисторами. Размер спящих транзисторов может быть выбран по току наихудшего случая и применяется к каждому блоку.

• Format: Paperback
• Language: Russian
• ISBN: 6205915278
• ISBN13: 9786205915271
• Release Date: April 2023
• Publisher: Sciencia Scripts
• Length: 56 Pages
• Weight: 0.21 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"