В данной книге основное внимание уделено моделированию и изучению влияния обедненных слоев вокруг областей истока и стока на подпороговые характеристики короткоканального МОП-транзистора с равномерно легированным каналом. Была разработана аналитическая модель для подпорогового поверхностного потенциала в короткоканальном МОП-транзисторе путем решения уравнения Пуассона в псевдо-2D, сформулированного с применением закона Гаусса к прямоугольному ящику в канале, охватывающему всю глубину обедненного слоя. Модель позволила предсказать увеличение влияния обедненных областей переходов при меньшей длине канала и/или более высоких напряжениях смещения сток-исток за счет увеличения совместного использования заряда. Эта же модель применяется для определения подпорогового поверхностного потенциала для МОП-транзисторов Double Halo. Уменьшение размеров прибора приводит к уменьшению толщины оксида затвора. В результате возникает нежелательный эффект горячих электронов и уве
ThriftBooks sells millions of used books at the lowest
everyday prices. We personally assess every book's quality and offer rare, out-of-print treasures. We
deliver the joy of reading in recyclable packaging with free standard shipping on US orders over $15.
ThriftBooks.com. Read more. Spend less.