???-??????????? ? ... (Russian Edition)

By Ачаря Пуя

Достижения в технологии изготовления high-k позволили добиться огромного прогресса в микроэлектронной промышленности, как за счет улучшения характеристик отдельных транзисторов, так и за счет возможности интеграции большего количества транзисторов в чип. В ближайшие годы МОП с high-k могут изменить сценарии создания транзисторов малого размера. Поэтому исследования этого устройства должны продолжаться с интенсивными экспериментами. Влияние высококристаллического диэлектрика (TiO2) также наблюдается на NMOS-транзисторе. Обнаружено, что подпороговый ток утечки уменьшается с увеличением порогового напряжения; это снижает потребляемую мощность и, таким образом, улучшает характеристики NMOS-транзистора. Снижение утечки на затворе и подпорогового размаха делает высококристаллическую NMOS-структуру сильной альтернативой для будущих наноразмерных MOS-устройств. Из анализа также можно сделать вывод, что по мере уменьшения масштаба устройств пороговое напряжение снижается.

• Format: Paperback
• Language: Russian
• ISBN: 6207053672
• ISBN13: 9786207053674
• Release Date: January 2024
• Publisher: Sciencia Scripts
• Length: 80 Pages
• Weight: 0.28 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"